IGBT 的基本結(jié)構(gòu)與工作原理
IGBT 是一個三端器件,具有柵極G 、集電極C 和發(fā)射極E , 目前多數(shù)的IGBT 為N 溝道型。IGBT 是由雙極型晶體管與MOSFET 組成的達(dá)林頓結(jié)構(gòu),相當(dāng)于一個由MOSFET 驅(qū)動的厚基區(qū)PNP 晶體管,圖中的Rdr 是晶體管基區(qū)內(nèi)的調(diào)制電阻。IGBT 是一種場控器件,其開通與關(guān)斷是由柵極和發(fā)射極間的電壓uGE 決定的,當(dāng)uGE 為正且大于開啟電壓